Bipolartransistor 2SB731-E

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -50 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1 A
• Verlustleistung, max: 10 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 360 bis 600
• Übergangsfrequenz, min: 75 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-126

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SB731-E kann eine Gleichstromverstärkung von 360 bis 600 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB731 liegt im Bereich von 135 bis 600, die des 2SB731-F im Bereich von 300 bis 480, die des 2SB731-K im Bereich von 200 bis 400, die des 2SB731-L im Bereich von 135 bis 270.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB731-E-Transistor könnte nur mit "B731-E" gekennzeichnet sein.Der 2SB1115 (SOT-89), 2SB1115-YK (SOT-89), 2SB1122 (SOT-89), 2SB1122-U (SOT-89), 2STR2160 (SOT-23), FMMTA55 (SOT-23), KST55 (SOT-23), MMBTA55 (SOT-23), PZTA55 (SOT-223) und SMBTA55 (SOT-23) ist die SMD-Version des 2SB731-E-Transistors.Sie können den Transistor 2SB731-E durch einen BD168, BD170, BD190, BD236, BD236G, BD238, BD238G, MJE235, MJE252, MJE254, MJE711 oder MJE712 ersetzen.