Bipolartransistor 2SB731

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB731

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -50 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1 A
  • Verlustleistung, max: 10 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 135 bis 600
  • Übergangsfrequenz, min: 75 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126

Pinbelegung des 2SB731

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SB731 kann eine Gleichstromverstärkung von 135 bis 600 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB731-E liegt im Bereich von 360 bis 600, die des 2SB731-F im Bereich von 300 bis 480, die des 2SB731-K im Bereich von 200 bis 400, die des 2SB731-L im Bereich von 135 bis 270.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB731-Transistor könnte nur mit "B731" gekennzeichnet sein.

SMD-Version des Transistors 2SB731

Der 2SB1115 (SOT-89), 2SB1122 (SOT-89), FMMTA55 (SOT-23), KST55 (SOT-23), MMBTA55 (SOT-23), PZTA55 (SOT-223) und SMBTA55 (SOT-23) ist die SMD-Version des 2SB731-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SB731

Sie können den Transistor 2SB731 durch einen BD168, BD170, BD190, BD236, BD236G, BD238, BD238G, MJE235, MJE252, MJE254, MJE711 oder MJE712 ersetzen.
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