Bipolartransistor 2SB549-R

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB549-R

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -100 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -120 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.8 A
  • Verlustleistung, max: 10 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 60 bis 120
  • Übergangsfrequenz, min: 70 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126

Pinbelegung des 2SB549-R

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SB549-R kann eine Gleichstromverstärkung von 60 bis 120 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB549 liegt im Bereich von 40 bis 320, die des 2SB549-P im Bereich von 160 bis 320, die des 2SB549-Q im Bereich von 100 bis 200, die des 2SB549-S im Bereich von 40 bis 80.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB549-R-Transistor könnte nur mit "B549-R" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB549-R ist der 2SD415-R.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SB549-R

Sie können den Transistor 2SB549-R durch einen 2SA1021, 2SA1021-R, 2SA1220, 2SA1220-R, 2SA1220A, 2SA1220A-R, 2SA1408, 2SA1408-R, 2SB631, 2SB631-D, 2SB631K, 2SB631K-D, 2SB649, 2SB649-B, 2SB649A, 2SB649A-B, BD792, KSA1220, KSA1220-R, KSA1220A, KSA1220A-R, MJE253, MJE253G oder MJE254 ersetzen.
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