Bipolartransistor 2SA1408-R

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA1408-R

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -150 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -150 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1.5 A
  • Verlustleistung, max: 10 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 60 bis 120
  • Übergangsfrequenz, min: 50 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126

Pinbelegung des 2SA1408-R

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SA1408-R kann eine Gleichstromverstärkung von 60 bis 120 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA1408 liegt im Bereich von 60 bis 200, die des 2SA1408-O im Bereich von 100 bis 200.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA1408-R-Transistor könnte nur mit "A1408-R" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA1408-R ist der 2SC3621-R.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SA1408-R

Sie können den Transistor 2SA1408-R durch einen 2SA1021, 2SA1021-R, 2SB649A oder 2SB649A-B ersetzen.
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com