Bipolartransistor 2SB631K

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB631K

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -120 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -120 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1 A
  • Verlustleistung, max: 8 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 60 bis 320
  • Übergangsfrequenz, min: 130 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126

Pinbelegung des 2SB631K

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SB631K kann eine Gleichstromverstärkung von 60 bis 320 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB631K-D liegt im Bereich von 60 bis 120, die des 2SB631K-E im Bereich von 100 bis 200, die des 2SB631K-F im Bereich von 160 bis 320.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB631K-Transistor könnte nur mit "B631K" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB631K ist der 2SD600K.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SB631K

Sie können den Transistor 2SB631K durch einen 2SA1021, 2SA1220, 2SA1220A, 2SB649, KSA1220 oder KSA1220A ersetzen.
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