Bipolartransistor 2SB503A-Y

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB503A-Y

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -50 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -80 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -10 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -3 A
  • Verlustleistung, max: 25 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 280
  • Übergangsfrequenz, min: 5 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-66

Pinbelegung des 2SB503A-Y

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SB503A-Y kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 280 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB503A liegt im Bereich von 30 bis 280, die des 2SB503A-O im Bereich von 50 bis 140, die des 2SB503A-R im Bereich von 30 bis 70.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB503A-Y-Transistor könnte nur mit "B503A-Y" gekennzeichnet sein.

SMD-Version des Transistors 2SB503A-Y

Der NZT660 (SOT-223) ist die SMD-Version des 2SB503A-Y-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SB503A-Y

Sie können den Transistor 2SB503A-Y durch einen 2SA764, 2SB502A oder 2SB502A-Y ersetzen.
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