Bipolartransistor 2SB502A

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -80 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -110 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -10 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -3 A
• Verlustleistung, max: 25 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 30 bis 280
• Übergangsfrequenz, min: 5 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
• Gehäuse: TO-66

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SB502A kann eine Gleichstromverstärkung von 30 bis 280 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB502A-O liegt im Bereich von 50 bis 140, die des 2SB502A-R im Bereich von 30 bis 70, die des 2SB502A-Y im Bereich von 100 bis 280.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB502A-Transistor könnte nur mit "B502A" gekennzeichnet sein.Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB502A ist der 2SD877.