Bipolartransistor 2SB503A
Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB503A
- Typ: PNP
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: -50 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: -80 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: -10 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -3 A
- Verlustleistung, max: 25 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 30 bis 280
- Übergangsfrequenz, min: 5 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
- Gehäuse: TO-66
Pinbelegung des 2SB503A
Klassifizierung von hFE
Kennzeichnung
Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SB503A
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