Bipolartransistor 2SB503A

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB503A

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -50 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -80 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -10 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -3 A
  • Verlustleistung, max: 25 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 30 bis 280
  • Übergangsfrequenz, min: 5 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-66

Pinbelegung des 2SB503A

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SB503A kann eine Gleichstromverstärkung von 30 bis 280 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB503A-O liegt im Bereich von 50 bis 140, die des 2SB503A-R im Bereich von 30 bis 70, die des 2SB503A-Y im Bereich von 100 bis 280.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB503A-Transistor könnte nur mit "B503A" gekennzeichnet sein.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SB503A

Sie können den Transistor 2SB503A durch einen 2SB502A ersetzen.
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