Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB1274Q
Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -60 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -3 A
Verlustleistung, max: 20 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 70 bis 120
Übergangsfrequenz, min: 100 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-220
Pinbelegung des 2SB1274Q
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SB1274Q kann eine Gleichstromverstärkung von 70 bis 120 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB1274 liegt im Bereich von 70 bis 280, die des 2SB1274R im Bereich von 100 bis 200, die des 2SB1274S im Bereich von 140 bis 280.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB1274Q-Transistor könnte nur mit "B1274Q" gekennzeichnet sein.
Komplementärer NPN-Transistor
Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB1274Q ist der 2SD1913Q.