Bipolartransistor 2SB1157-Q

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -100 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -100 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -5 A
• Verlustleistung, max: 60 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 60 bis 120
• Übergangsfrequenz, min: 20 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-3PF

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SB1157-Q kann eine Gleichstromverstärkung von 60 bis 120 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB1157 liegt im Bereich von 60 bis 200, die des 2SB1157-P im Bereich von 100 bis 200, die des 2SB1157-S im Bereich von 80 bis 160.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB1157-Q-Transistor könnte nur mit "B1157-Q" gekennzeichnet sein.Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB1157-Q ist der 2SD1712-Q.Der BDP954 (SOT-223) ist die SMD-Version des 2SB1157-Q-Transistors.Sie können den Transistor 2SB1157-Q durch einen 2SA1141, 2SA1141-R, 2SA1673, 2SA1860, 2SA1908, 2SA1909, 2SB1054, 2SB1054-Q, 2SB1055, 2SB1055-Q, 2SB1056, 2SB1056-Q, 2SB1057, 2SB1057-Q, 2SB1158, 2SB1158-Q, 2SB1159, 2SB1159-Q, 2SB1160, 2SB1160-Q, 2SB1161, 2SB1161-Q oder FJAF4210 ersetzen.