Bipolartransistor 2SB1057-Q

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB1057-Q

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -150 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -150 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -9 A
  • Verlustleistung, max: 100 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 60 bis 120
  • Übergangsfrequenz, min: 20 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-3PF

Pinbelegung des 2SB1057-Q

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SB1057-Q kann eine Gleichstromverstärkung von 60 bis 120 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB1057 liegt im Bereich von 40 bis 200, die des 2SB1057-P im Bereich von 100 bis 200, die des 2SB1057-R im Bereich von 40 bis 80.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB1057-Q-Transistor könnte nur mit "B1057-Q" gekennzeichnet sein.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SB1057-Q

Sie können den Transistor 2SB1057-Q durch einen 2SA1673, 2SA1860, 2SA1987, 2SB1160, 2SB1160-Q, 2SB1161 oder 2SB1161-Q ersetzen.
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