Bipolartransistor 2SA1141-R

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -115 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -115 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -10 A
• Verlustleistung, max: 100 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 60 bis 120
• Übergangsfrequenz, min: 90 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-3PF

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SA1141-R kann eine Gleichstromverstärkung von 60 bis 120 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA1141 liegt im Bereich von 60 bis 200, die des 2SA1141-Q im Bereich von 100 bis 200.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA1141-R-Transistor könnte nur mit "A1141-R" gekennzeichnet sein.Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA1141-R ist der 2SC2681-R.Sie können den Transistor 2SA1141-R durch einen 2SA1673, 2SA1860, 2SA1909, 2SA1987, 2SB1161, 2SB1161-Q oder FJAF4210 ersetzen.