Bipolartransistor 2SA699-Q

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -32 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -40 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -3 A
• Verlustleistung, max: 10 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 80 bis 160
• Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-202

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SA699-Q kann eine Gleichstromverstärkung von 80 bis 160 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA699 liegt im Bereich von 50 bis 220, die des 2SA699-P im Bereich von 50 bis 100, die des 2SA699-R im Bereich von 100 bis 220.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA699-Q-Transistor könnte nur mit "A699-Q" gekennzeichnet sein.Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA699-Q ist der 2SC1226-Q.Sie können den Transistor 2SA699-Q durch einen 2SA636, 2SA636-L, 2SA636A, 2SA636A-L, 2SA699A oder 2SA699A-Q ersetzen.