Bipolartransistor 2SA699-P

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA699-P

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -32 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -40 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -3 A
  • Verlustleistung, max: 10 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 50 bis 100
  • Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-202

Pinbelegung des 2SA699-P

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SA699-P kann eine Gleichstromverstärkung von 50 bis 100 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA699 liegt im Bereich von 50 bis 220, die des 2SA699-Q im Bereich von 80 bis 160, die des 2SA699-R im Bereich von 100 bis 220.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA699-P-Transistor könnte nur mit "A699-P" gekennzeichnet sein.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SA699-P

Sie können den Transistor 2SA699-P durch einen 2SA636, 2SA636-M, 2SA636A, 2SA636A-M, 2SA699A oder 2SA699A-P ersetzen.
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