Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA699A-Q
Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -40 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -50 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -3 A
Verlustleistung, max: 10 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 80 bis 160
Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-202
Pinbelegung des 2SA699A-Q
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SA699A-Q kann eine Gleichstromverstärkung von 80 bis 160 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA699A liegt im Bereich von 50 bis 220, die des 2SA699A-P im Bereich von 50 bis 100, die des 2SA699A-R im Bereich von 100 bis 220.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA699A-Q-Transistor könnte nur mit "A699A-Q" gekennzeichnet sein.
Komplementärer NPN-Transistor
Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA699A-Q ist der 2SC1226A-Q.
SMD-Version des Transistors 2SA699A-Q
Der 2DA1213 (SOT-89) und 2SA1213 (SOT-89) ist die SMD-Version des 2SA699A-Q-Transistors.