Bipolartransistor 2SB560-G

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -80 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -100 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.7 A
• Verlustleistung, max: 0.9 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 280 bis 560
• Übergangsfrequenz, min: 100 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-92MOD

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SB560-G kann eine Gleichstromverstärkung von 280 bis 560 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB560 liegt im Bereich von 60 bis 560, die des 2SB560-D im Bereich von 60 bis 120, die des 2SB560-E im Bereich von 100 bis 200, die des 2SB560-F im Bereich von 160 bis 320.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB560-G-Transistor könnte nur mit "B560-G" gekennzeichnet sein.Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB560-G ist der 2SD438-G.