Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA1767Q
Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -300 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -300 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.07 A
Verlustleistung, max: 0.75 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 60 bis 150
Übergangsfrequenz, min: 50 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-92
Pinbelegung des 2SA1767Q
Der 2SA1767Q wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung. Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SA1767Q kann eine Gleichstromverstärkung von 60 bis 150 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA1767 liegt im Bereich von 60 bis 220, die des 2SA1767R im Bereich von 100 bis 220.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA1767Q-Transistor könnte nur mit "A1767Q" gekennzeichnet sein.
Komplementärer NPN-Transistor
Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA1767Q ist der 2SC1473AQ.
SMD-Version des Transistors 2SA1767Q
Der BF621 (SOT-89) und BF821 (SOT-23) ist die SMD-Version des 2SA1767Q-Transistors.
