Bipolartransistor 2SA1091-O

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA1091-O

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -300 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -300 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -8 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.1 A
  • Verlustleistung, max: 0.4 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 50 bis 150
  • Übergangsfrequenz, min: 60 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des 2SA1091-O

Der 2SA1091-O wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SA1091-O kann eine Gleichstromverstärkung von 50 bis 150 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA1091 liegt im Bereich von 30 bis 150, die des 2SA1091-R im Bereich von 30 bis 90.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA1091-O-Transistor könnte nur mit "A1091-O" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA1091-O ist der 2SC2551-O.

SMD-Version des Transistors 2SA1091-O

Der 2SA1721 (SOT-23), 2SA1721-O (SOT-23), BF621 (SOT-89), BF821 (SOT-23) und PMBTA92 (SOT-23) ist die SMD-Version des 2SA1091-O-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SA1091-O

Sie können den Transistor 2SA1091-O durch einen 2SA1371, 2SA1625, KSA1625 oder KTA1279 ersetzen.
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