Bipolartransistor 2SA1476-E

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -200 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -200 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -4 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.2 A
• Verlustleistung, max: 15 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 100 bis 200
• Übergangsfrequenz, min: 400 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-220

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SA1476-E kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 200 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA1476 liegt im Bereich von 40 bis 320, die des 2SA1476-C im Bereich von 40 bis 80, die des 2SA1476-D im Bereich von 60 bis 120, die des 2SA1476-F im Bereich von 160 bis 320.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA1476-E-Transistor könnte nur mit "A1476-E" gekennzeichnet sein.Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA1476-E ist der 2SC3782-E.Sie können den Transistor 2SA1476-E durch einen 2SA1006A, 2SA1006A-Q, 2SA1006B, 2SA1006B-Q, 2SA1009, 2SA1009-H, 2SA1009A, 2SA1009A-H, 2SA1306B, 2SA1668, 2SA1837, 2SA968B, 2SB630, 2SB630-Q, MJE15033, MJE15033G, MJE15035, MJE15035G, MJE5850, MJE5850G, MJE5851, MJE5851G, MJE5852 oder MJE5852G ersetzen.