Bipolartransistor 2SA1476-D

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA1476-D

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -200 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -200 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -4 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.2 A
  • Verlustleistung, max: 15 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 60 bis 120
  • Übergangsfrequenz, min: 400 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des 2SA1476-D

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SA1476-D kann eine Gleichstromverstärkung von 60 bis 120 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA1476 liegt im Bereich von 40 bis 320, die des 2SA1476-C im Bereich von 40 bis 80, die des 2SA1476-E im Bereich von 100 bis 200, die des 2SA1476-F im Bereich von 160 bis 320.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA1476-D-Transistor könnte nur mit "A1476-D" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA1476-D ist der 2SC3782-D.

SMD-Version des Transistors 2SA1476-D

Der BST15 (SOT-89) ist die SMD-Version des 2SA1476-D-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SA1476-D

Sie können den Transistor 2SA1476-D durch einen 2SA1006A, 2SA1006A-R, 2SA1006B, 2SA1006B-R, 2SA1009, 2SA1009-J, 2SA1009A, 2SA1009A-J, 2SA1668, 2SB630, 2SB630-R, FJP1943, FJPF1943, MJE15033, MJE15033G, MJE5730, MJE5730G, MJE5731, MJE5731A, MJE5731AG, MJE5731G, MJE5850, MJE5850G, MJE5851, MJE5851G, MJE5852 oder MJE5852G ersetzen.
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com