Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA1009-J
Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -350 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -350 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -7 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -2 A
Verlustleistung, max: 15 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 60 bis 120
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-220
Pinbelegung des 2SA1009-J
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SA1009-J kann eine Gleichstromverstärkung von 60 bis 120 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA1009 liegt im Bereich von 20 bis 200, die des 2SA1009-H im Bereich von 100 bis 200, die des 2SA1009-K im Bereich von 40 bis 80, die des 2SA1009-L im Bereich von 30 bis 60, die des 2SA1009-M im Bereich von 20 bis 40.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA1009-J-Transistor könnte nur mit "A1009-J" gekennzeichnet sein.
