Bipolartransistor 2SA1365-G

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -20 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -25 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -4 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.7 A
• Verlustleistung, max: 0.15 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 400 bis 800
• Übergangsfrequenz, min: 180 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: SOT-23

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SA1365-G kann eine Gleichstromverstärkung von 400 bis 800 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA1365 liegt im Bereich von 150 bis 800, die des 2SA1365-E im Bereich von 150 bis 300, die des 2SA1365-F im Bereich von 250 bis 500.Der 2SA1365-G-Transistor ist als "AG" gekennzeichnet.Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA1365-G ist der 2SC3440-G.Sie können den Transistor 2SA1365-G durch einen FMMT591A ersetzen.