Bipolartransistor 2SC3440-G

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SC3440-G

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 20 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 25 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 4 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.7 A
  • Verlustleistung, max: 0.15 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 400 bis 800
  • Übergangsfrequenz, min: 180 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-23

Pinbelegung des 2SC3440-G

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SC3440-G kann eine Gleichstromverstärkung von 400 bis 800 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SC3440 liegt im Bereich von 150 bis 800, die des 2SC3440-E im Bereich von 150 bis 300, die des 2SC3440-F im Bereich von 250 bis 500.

Kennzeichnung

Der 2SC3440-G-Transistor ist als "BG" gekennzeichnet.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SC3440-G ist der 2SA1365-G.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SC3440-G

Sie können den Transistor 2SC3440-G durch einen FMMT491A oder FMMT618 ersetzen.
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