Bipolartransistor 2SC2308

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SC2308

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 50 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 55 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.1 A
  • Verlustleistung, max: 0.2 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 320
  • Übergangsfrequenz, min: 230 MHz
  • Rauschzahl, max: 4 dB
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des 2SC2308

Der 2SC2308 wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts,
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SC2308 kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 320 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SC2308B liegt im Bereich von 100 bis 200, die des 2SC2308C im Bereich von 160 bis 320.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SC2308-Transistor könnte nur mit "C2308" gekennzeichnet sein.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SC2308 ist der 2SA1030.

SMD-Version des Transistors 2SC2308

Der 2SC1623 (SOT-23), KSC1623 (SOT-23) und MMBT2484 (SOT-23) ist die SMD-Version des 2SC2308-Transistors.
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com