Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA1007-p
Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -130 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -150 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -10 A
Verlustleistung, max: 100 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 160 bis 320
Übergangsfrequenz, min: 50 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
Gehäuse: TO-3
Pinbelegung des 2SA1007-p
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SA1007-p kann eine Gleichstromverstärkung von 160 bis 320 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA1007 liegt im Bereich von 40 bis 320, die des 2SA1007-Q im Bereich von 100 bis 200, die des 2SA1007-R im Bereich von 60 bis 120, die des 2SA1007-S im Bereich von 40 bis 80.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA1007-p-Transistor könnte nur mit "A1007-p" gekennzeichnet sein.
