Bipolartransistor 2N6326
Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N6326
- Typ: NPN
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 30 A
- Verlustleistung, max: 200 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 6 bis 30
- Übergangsfrequenz, min: 3 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
- Gehäuse: TO-3
Pinbelegung des 2N6326
Ersatz und Äquivalent für Transistor 2N6326
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