Bipolartransistor 2N6330

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 80 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 80 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 30 A
• Verlustleistung, max: 200 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 6 bis 30
• Übergangsfrequenz, min: 3 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
• Gehäuse: TO-3

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Sie können den Transistor 2N6330 durch einen 2N6327, 2N6328 oder 2N6331 ersetzen.