Bipolartransistor 2N6327

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N6327

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 80 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 80 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 30 A
  • Verlustleistung, max: 200 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 6 bis 30
  • Übergangsfrequenz, min: 3 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
  • Gehäuse: TO-3

Pinbelegung des 2N6327

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2N6327

Sie können den Transistor 2N6327 durch einen 2N6328, 2N6330 oder 2N6331 ersetzen.
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