Bipolartransistor 2N6059

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 100 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 100 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 12 A
• Verlustleistung, max: 150 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 750 bis 18000
• Übergangsfrequenz, min: 4 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
• Gehäuse: TO-3

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der komplementäre PNP-Transistor zum 2N6059 ist der 2N6052.Sie können den Transistor 2N6059 durch einen 2N6284, 2N6284G, 2SC1584, 2SC1585, 2SC1586 oder BD317 ersetzen.