Transistor bipolaire PMBT5550

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 140 V
• Tension collecteur-base maximum: 160 V
• Tension émetteur-base maximum: 6 V
• Courant collecteur continu maximum: 0.3 A
• Dissipation de puissance maximum: 0.25 W
• Gain de courant (h_fe): 60 à 250
• Fréquence de transition minimum: 100 MHz
• Figure de bruit maximum: 10 dB
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: SOT-23
• Electrically Similar to the Popular 2N5550 transistor

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor PMBT5550 est marqué "p1F".Le 2N5550 est la version TO-92 du PMBT5550.Vous pouvez remplacer le transistor PMBT5550 par FMMT625, KST43, KST5550 ou MMBT5550.