Transistor bipolaire MMBT5550

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 140 V
• Tension collecteur-base maximum: 160 V
• Tension émetteur-base maximum: 6 V
• Courant collecteur continu maximum: 0.6 A
• Dissipation de puissance maximum: 0.35 W
• Gain de courant (h_fe): 60 à 250
• Fréquence de transition minimum: 100 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
• Boîtier: SOT-23

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor MMBT5550 est marqué "1F".Vous pouvez remplacer le transistor MMBT5550 par FMMT625 ou KST5550.