Transistor bipolaire KST5550

Caractéristiques électriques du transistor KST5550

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 140 V
  • Tension collecteur-base maximum: 160 V
  • Tension émetteur-base maximum: 6 V
  • Courant collecteur continu maximum: 0.6 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.35 W
  • Gain de courant (hfe): 60 à 250
  • Fréquence de transition minimum: 100 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: SOT-23
  • Electrically Similar to the Popular 2N5550 transistor

Brochage du KST5550

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Marquage

Le transistor KST5550 est marqué "1F".

Transistor KST5550 en boîtier TO-92

Le 2N5550 est la version TO-92 du KST5550.

Substituts et équivalents pour le transistor KST5550

Vous pouvez remplacer le transistor KST5550 par FMMT625 ou MMBT5550.
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