Transistor bipolaire KST5550
Caractéristiques électriques du transistor KST5550
- Type de transistor: NPN
- Tension collecteur-émetteur maximum: 140 V
- Tension collecteur-base maximum: 160 V
- Tension émetteur-base maximum: 6 V
- Courant collecteur continu maximum: 0.6 A
- Dissipation de puissance maximum: 0.35 W
- Gain de courant (hfe): 60 à 250
- Fréquence de transition minimum: 100 MHz
- Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
- Boîtier: SOT-23
- Electrically Similar to the Popular 2N5550 transistor
Brochage du KST5550
Marquage
Transistor KST5550 en boîtier TO-92
Substituts et équivalents pour le transistor KST5550
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