Transistor bipolaire BDP956

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -120 V
• Tension collecteur-base maximum: -140 V
• Tension émetteur-base maximum: -5 V
• Courant collecteur continu maximum: -3 A
• Dissipation de puissance maximum: 3 W
• Gain de courant (h_fe): 40 à 475
• Fréquence de transition minimum: 100 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: SOT-223

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor NPN complémentaire du BDP956 est le BDP955.