Transistor bipolaire MPS8550S-D

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -25 V
• Tension collecteur-base maximum: -40 V
• Tension émetteur-base maximum: -6 V
• Courant collecteur continu maximum: -1.5 A
• Dissipation de puissance maximum: 0.35 W
• Gain de courant (h_fe): 160 à 300
• Fréquence de transition minimum: 200 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
• Boîtier: SOT-23
• Electrically Similar to the Popular MPS8550D transistor

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor MPS8550S-D peut avoir un gain en courant continu de 160 à 300. Le gain en courant continu du MPS8550S est compris entre 85 à 300, celui du MPS8550S-B entre 85 à 160, celui du MPS8550S-C entre 120 à 200.Le transistor MPS8550S-D est marqué "BJD".Le transistor NPN complémentaire du MPS8550S-D est le MPS8050S-D.Le MPS8550D est la version TO-92 du MPS8550S-D.