Transistor bipolaire MPS8050S-B

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 25 V
• Tension collecteur-base maximum: 40 V
• Tension émetteur-base maximum: 6 V
• Courant collecteur continu maximum: 1.5 A
• Dissipation de puissance maximum: 0.35 W
• Gain de courant (h_fe): 85 à 160
• Fréquence de transition minimum: 190 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
• Boîtier: SOT-23
• Electrically Similar to the Popular MPS8050B transistor

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor MPS8050S-B peut avoir un gain en courant continu de 85 à 160. Le gain en courant continu du MPS8050S est compris entre 85 à 300, celui du MPS8050S-C entre 120 à 200, celui du MPS8050S-D entre 160 à 300.Le transistor MPS8050S-B est marqué "BHB".Le transistor PNP complémentaire du MPS8050S-B est le MPS8550S-B.Le MPS8050B est la version TO-92 du MPS8050S-B.