Transistor bipolaire MJF18006G

Caractéristiques électriques du transistor MJF18006G

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 450 V
  • Tension collecteur-base maximum: 1000 V
  • Tension émetteur-base maximum: 9 V
  • Courant collecteur continu maximum: 6 A
  • Dissipation de puissance maximum: 40 W
  • Gain de courant (hfe): 14 à 34
  • Fréquence de transition minimum: 14 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
  • Boîtier: TO-220F
  • Electrically Similar to the Popular MJE18006G transistor
  • Le MJF18006G est la version sans plomb du transistor MJF18006

Brochage du MJF18006G

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Substituts et équivalents pour le transistor MJF18006G

Vous pouvez remplacer le transistor MJF18006G par 2SC3056A, MJE18006, MJE18006G, MJE18008, MJE18008G, MJF18006, MJF18008 ou MJF18008G.
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