Transistor bipolaire MJE18008G

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 450 V
• Tension collecteur-base maximum: 1000 V
• Tension émetteur-base maximum: 9 V
• Courant collecteur continu maximum: 8 A
• Dissipation de puissance maximum: 125 W
• Gain de courant (h_fe): 14 à 34
• Fréquence de transition minimum: 13 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: TO-220
• Le MJE18008G est la version sans plomb du transistor MJE18008

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Vous pouvez remplacer le transistor MJE18008G par MJE18008, MJF18008 ou MJF18008G.