Transistor bipolaire MJF18008G

Caractéristiques électriques du transistor MJF18008G

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 450 V
  • Tension collecteur-base maximum: 1000 V
  • Tension émetteur-base maximum: 9 V
  • Courant collecteur continu maximum: 8 A
  • Dissipation de puissance maximum: 45 W
  • Gain de courant (hfe): 14 à 34
  • Fréquence de transition minimum: 13 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
  • Boîtier: TO-220F
  • Electrically Similar to the Popular MJE18008G transistor
  • Le MJF18008G est la version sans plomb du transistor MJF18008

Brochage du MJF18008G

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Substituts et équivalents pour le transistor MJF18008G

Vous pouvez remplacer le transistor MJF18008G par MJE18008, MJE18008G ou MJF18008.
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