Transistor bipolaire KTC3209O
Caractéristiques électriques du transistor KTC3209O
- Type de transistor: NPN
- Tension collecteur-émetteur maximum: 50 V
- Tension collecteur-base maximum: 50 V
- Tension émetteur-base maximum: 5 V
- Courant collecteur continu maximum: 2 A
- Dissipation de puissance maximum: 1 W
- Gain de courant (hfe): 70 à 140
- Fréquence de transition minimum: 100 MHz
- Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
- Boîtier: TO-92MOD
Brochage du KTC3209O
Classification de hFE
Complémentaire du transistor KTC3209O
Version SMD du transistor KTC3209O
Substituts et équivalents pour le transistor KTC3209O
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