Transistor bipolaire BCX55-10
Caractéristiques électriques du transistor BCX55-10
- Type de transistor: NPN
- Tension collecteur-émetteur maximum: 60 V
- Tension collecteur-base maximum: 60 V
- Tension émetteur-base maximum: 5 V
- Courant collecteur continu maximum: 1 A
- Dissipation de puissance maximum: 1.2 W
- Gain de courant (hfe): 63 à 150
- Fréquence de transition minimum: 130 MHz
- Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
- Boîtier: SOT-89
Brochage du BCX55-10
Classification de hFE
Marquage
Complémentaire du transistor BCX55-10
Substituts et équivalents pour le transistor BCX55-10
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