Transistor bipolaire BCP55-10

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 60 V
• Tension collecteur-base maximum: 60 V
• Tension émetteur-base maximum: 5 V
• Courant collecteur continu maximum: 1 A
• Dissipation de puissance maximum: 1.5 W
• Gain de courant (h_fe): 63 à 160
• Fréquence de transition minimum: 100 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
• Boîtier: SOT-223

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor PNP complémentaire du BCP55-10 est le BCP52-10.Vous pouvez remplacer le transistor BCP55-10 par BCP55, BCP56, BCP56-10, BDP951, BDP953, BDP955 ou NZT44H8.