Transistor bipolaire KSE5020
Caractéristiques électriques du transistor KSE5020
- Type de transistor: NPN
- Tension collecteur-émetteur maximum: 500 V
- Tension collecteur-base maximum: 800 V
- Tension émetteur-base maximum: 7 V
- Courant collecteur continu maximum: 3 A
- Dissipation de puissance maximum: 30 W
- Gain de courant (hfe): 15 à 50
- Fréquence de transition minimum: 18 MHz
- Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
- Boîtier: TO-126
Brochage du KSE5020
Classification de hFE
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