Transistor bipolaire KSD1020

Caractéristiques électriques du transistor KSD1020

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 25 V
  • Tension collecteur-base maximum: 30 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 0.7 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.35 W
  • Gain de courant (hfe): 120 à 400
  • Fréquence de transition minimum: 170 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-92S

Brochage du KSD1020

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor KSD1020 peut avoir un gain en courant continu de 120 à 400. Le gain en courant continu du KSD1020-G est compris entre 200 à 400, celui du KSD1020-Y entre 120 à 240.

Complémentaire du transistor KSD1020

Le transistor PNP complémentaire du KSD1020 est le KSB810.

Version SMD du transistor KSD1020

Le 2SC2859 (SOT-23), 2SC4118 (SOT-323), BC818 (SOT-23), BC818W (SOT-323), KTC3876 (SOT-23) et KTC3876S (SOT-23) est la version SMD du transistor KSD1020.

Substituts et équivalents pour le transistor KSD1020

Vous pouvez remplacer le transistor KSD1020 par 2SC2001, 2SC4408, 2SD1207, 2SD1347, 2SD1835, 2SD471, 2SD545, 2SD789, KSD1021 ou KSD471AC.
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