Transistor bipolaire KSD1020
Caractéristiques électriques du transistor KSD1020
- Type de transistor: NPN
- Tension collecteur-émetteur maximum: 25 V
- Tension collecteur-base maximum: 30 V
- Tension émetteur-base maximum: 5 V
- Courant collecteur continu maximum: 0.7 A
- Dissipation de puissance maximum: 0.35 W
- Gain de courant (hfe): 120 à 400
- Fréquence de transition minimum: 170 MHz
- Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
- Boîtier: TO-92S
Brochage du KSD1020
Classification de hFE
Complémentaire du transistor KSD1020
Version SMD du transistor KSD1020
Substituts et équivalents pour le transistor KSD1020
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