Transistor bipolaire KSC1009CG

Caractéristiques électriques du transistor KSC1009CG

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 140 V
  • Tension collecteur-base maximum: 160 V
  • Tension émetteur-base maximum: 8 V
  • Courant collecteur continu maximum: 0.7 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.8 W
  • Gain de courant (hfe): 200 à 400
  • Fréquence de transition minimum: 30 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-92

Brochage du KSC1009CG

Le KSC1009CG est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, l'émetteur, le collecteur et la base. Le suffixe "C" signifie collecteur central dans le KSC1009G.
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor KSC1009CG peut avoir un gain en courant continu de 200 à 400. Le gain en courant continu du KSC1009C est compris entre 40 à 400, celui du KSC1009CO entre 70 à 140, celui du KSC1009CR entre 40 à 80, celui du KSC1009CY entre 120 à 240.

Substituts et équivalents pour le transistor KSC1009CG

Vous pouvez remplacer le transistor KSC1009CG par 2SC3332 ou 2SC3332-T.
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