Transistor bipolaire KSB810-O

Caractéristiques électriques du transistor KSB810-O

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -25 V
  • Tension collecteur-base maximum: -30 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -0.7 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.35 W
  • Gain de courant (hfe): 70 à 140
  • Fréquence de transition minimum: 160 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-92S

Brochage du KSB810-O

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor KSB810-O peut avoir un gain en courant continu de 70 à 140. Le gain en courant continu du KSB810 est compris entre 70 à 400, celui du KSB810-G entre 200 à 400, celui du KSB810-Y entre 120 à 240.

Version SMD du transistor KSB810-O

Le 2SA1182 (SOT-23), 2SA1182-O (SOT-23), 2SA1588 (SOT-323), 2SA1588-O (SOT-323), FJX1182 (SOT-323), FJX1182-O (SOT-323), KSA1182 (SOT-23), KSA1182-O (SOT-23), KTA1505 (SOT-23), KTA1505O (SOT-23), KTA1505S (SOT-23) et KTA1505S-O (SOT-23) est la version SMD du transistor KSB810-O.

Substituts et équivalents pour le transistor KSB810-O

Vous pouvez remplacer le transistor KSB810-O par 2N4951, 2N4954, 2SA1020, 2SA1020O, 2SB598, 2SB764, KSB564AC, KSB564ACO, KSB811, KSB811-O, KTA1281, KTA1281O ou KTB764.
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