Caractéristiques électriques du transistor KSB810-O
Type de transistor: PNP
Tension collecteur-émetteur maximum: -25 V
Tension collecteur-base maximum: -30 V
Tension émetteur-base maximum: -5 V
Courant collecteur continu maximum: -0.7 A
Dissipation de puissance maximum: 0.35 W
Gain de courant (hfe): 70 à 140
Fréquence de transition minimum: 160 MHz
Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
Boîtier: TO-92S
Brochage du KSB810-O
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Classification de hFE
Le transistor KSB810-O peut avoir un gain en courant continu de 70 à 140. Le gain en courant continu du KSB810 est compris entre 70 à 400, celui du KSB810-G entre 200 à 400, celui du KSB810-Y entre 120 à 240.