Transistor bipolaire FJP13009
Caractéristiques électriques du transistor FJP13009
- Type de transistor: NPN
- Tension collecteur-émetteur maximum: 400 V
- Tension collecteur-base maximum: 700 V
- Tension émetteur-base maximum: 9 V
- Courant collecteur continu maximum: 12 A
- Dissipation de puissance maximum: 100 W
- Gain de courant (hfe): 8 à 40
- Fréquence de transition minimum: 4 MHz
- Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
- Boîtier: TO-220
- Electrically Similar to the Popular MJE13009 transistor
Brochage du FJP13009
Classification de hFE
Marquage
Substituts et équivalents pour le transistor FJP13009
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