Transistor bipolaire BDV64BG

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -100 V
• Tension collecteur-base maximum: -100 V
• Tension émetteur-base maximum: -5 V
• Courant collecteur continu maximum: -10 A
• Dissipation de puissance maximum: 125 W
• Gain de courant (h_fe): 1000
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: TO-247
• Le BDV64BG est la version sans plomb du transistor BDV64B

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor NPN complémentaire du BDV64BG est le BDV65BG.Vous pouvez remplacer le transistor BDV64BG par 2SB1560, 2SB1560-O, 2SB1560-P, 2SB1560-Y, 2SB887, BDV64B, BDV66B, BDV66C, BDV66D, TIP147 ou TIP147G.