Transistor bipolaire BDV64B

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -100 V
• Tension collecteur-base maximum: -100 V
• Tension émetteur-base maximum: -5 V
• Courant collecteur continu maximum: -10 A
• Dissipation de puissance maximum: 125 W
• Gain de courant (h_fe): 1000
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: TO-247

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor NPN complémentaire du BDV64B est le BDV65B.Vous pouvez remplacer le transistor BDV64B par 2SB1560, 2SB1560-O, 2SB1560-P, 2SB1560-Y, 2SB887, BDV64BG, BDV66B, BDV66C, BDV66D, TIP147 ou TIP147G.Le transistor BDV64BG est la version sans plomb du BDV64B.