Transistor bipolaire BDV66B

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -100 V
• Tension collecteur-base maximum: -120 V
• Tension émetteur-base maximum: -5 V
• Courant collecteur continu maximum: -16 A
• Dissipation de puissance maximum: 200 W
• Gain de courant (h_fe): 1000
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: TO-3P

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor NPN complémentaire du BDV66B est le BDV67B.Vous pouvez remplacer le transistor BDV66B par BDV66C ou BDV66D.