Transistor bipolaire BDT32B

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -80 V
• Tension collecteur-base maximum: -120 V
• Tension émetteur-base maximum: -5 V
• Courant collecteur continu maximum: -3 A
• Dissipation de puissance maximum: 40 W
• Gain de courant (h_fe): 10 à 50
• Fréquence de transition minimum: 3 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: TO-220

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor NPN complémentaire du BDT32B est le BDT31B.Vous pouvez remplacer le transistor BDT32B par BDT32C, D44C10, D45C10, MJF32C, MJF32CG, TIP32B, TIP32BG, TIP32C, TIP32CF, TIP32CG, TIP32D, TIP32E ou TIP32F.